Основными источниками радиации на околоземной орбите являются Солнце и звезды. Например, Солнце обеспечивает постоянный массивный артобстрел спутников и межпланетных станций протонами и электронами, тогда как звезды дополняют излучение ядрами тяжелых элементов. Вблизи Земли радицию частично экранирует магнитное поле планеты, собирая частицы в так называемых радиационных поясах или поясах (пояса Ван Аллена). Именно эти пояса являются самой серьезной проблемой для космических аппаратов, а потому время нахождения в них стараются минимизировать.

Использование в космической аппаратуре стандартных транзисторов и микросхем ограничено эффектом защелкивания, и в отдельных случаях возможно только на низких орбитах. На более высоких орбитах и в дальнем космосе нужны специальные радиационно-стойкие изделия, так как космические аппараты лишены защиты магнитного поля Земли.

Несколько лет назад BarsMonster написал целую статью о защищённой микроэлектроники для военных и космических нужд, где изложил, почему «обычная» микроэлектроника не может летать в космос. В начале 2013 года вышла статья с разбором и описанием чипа 1886ВЕ10, устойчивого к радиационному воздействию, от компании Микрон. Так выглядят транзисторы с кольцевым затвором:

Основной, рабочий слой микроновской микросхемы 1886ВЕ10
Основной, рабочий слой микроновской микросхемы 1886ВЕ10

Как отмечается в выпущенном пресс-релизе, РосКосмос и «Ангстрем» начали сотрудничать в 2012 году в рамках налаживания выпуска продукции, которая позволяет создавать аппаратуру для работы в околоземном пространстве, а также в сложных условиях на земле. А уже в 2014 году на свет появились первые две серии защищённых транзиторов 2ПЕ203, 2ПЕ204 с напряжением от 30 до 100В стойких к воздействию ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг. Вчера же были представлено второе поколение: — 2ПЕ206А9 с сопротивлением не более 50 мОм и максимальным напряжением 140 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг, — 2ПЕ207А9 с сопротивлением не более 200 мОм и максимальным напряжением 200 В при воздействии ТЗЧ (тяжелых заряженных частиц) с энергией не менее 60 МэВ·см2/мг.

Представленные транзисторы обладают малым зарядом затвора и низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, что позволит увеличить КПД бортовых источников питания. Плюс ко всему, разработка позволит повысить качество обработки информации, передаваемой с различных спутников на землю.