Магнитную память улучшат контролем скирмионов
Возможность управлять скирмионами с помощью электрических полей, найденная группой исследователей из Университета Содружества Виргинии (штат Виргиния) и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе, знаменует существенный прогресс на пути к созданию более компактных и эффективных компонентов магнитной памяти для компьютеров и разнообразных беспроводных «умных» устройств.
В статье, вышедшей 29 июня в журнале Nature Electronics, рассказывается о манипуляциях с зафиксированными в пространстве скирмионами посредством перпендикулярной магнитной анизотропии, контролируемой импульсами электрического напряжения.
Авторы показали — экспериментально и путём микромагнитных симуляций — что такие скирмионы можно стабилизировать в гетероструктурных плёнках, образованных из слоёв антиферромагнетика, ферромагнетика и оксида, без приложения внешнего магнитного поля — за счёт полей обменной анизотропии.
Ранее, в 2016 и 2018 гг., учёные из Виргинии продемонстрировали, что использование промежуточного скирмионного состояния для обеспечения точных переходов между намагниченностью «вверх» и «вниз» способно уменьшить ошибки при записи информации в память, делая устройства более устойчивыми к дефектам материала и тепловому шуму. Они запатентовали эту идею, а концептуальный эксперимент, описываемый в Nature Electronics, стал первым шагом к её воплощению в практическом устройстве.
Комментарии:
Другие статьи:
← Pfizer проверила вакцину Covid-19 на людях
Грибы помогли корням растений →